Ddr3 и ddr3l. разница между типами оперативной памяти

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Чем DDR4 лучше DDR3 — основные отличия

Категория: Периферия

Собирая новый компьютер многие задумываются о целесообразности выбора платформы с поддержкой нового типа оперативной памяти — DDR4. Выясним, стоит ли переплачивать за DDR4 или DDR3 ещё конкурентоспособна и не сильно уступает в быстродействии, в чём принципиальная разница между этими типами памяти.

DDR4 работает при более низком напряжении. 1.2 вольта по сравнению с 1.5 у DDR3. Это не много и экономия для домашнего компьютера выйдет незначительной. Но в серверных решениях и data-центрах даже экономия в 15 Вт с одной платформы может дать хороший результат.

Большая разница между типами памяти в частоте работы. В DDR3 она начиналась с 800 Мгц и достигала 2133 Мгц. Модули DDR4 начинают работать с 2133 Мгц. К сожалению, есть и обратная сторона повышения частоты — увеличение временной задержки сигнала (тайминг).

Тайминг указывает время за которое оперативная память записывает, считывает или проводит операцию обслуживания модуля. Записывается обычно в виде 9-9-9-24, где первая цифра относится к считыванию, вторая — записи, третья — к выполнению действия, а четвёртая — показывает время полного цикла выполнения всех операций. Чаще всего в качестве тайминга указывают только цифру чтения.

Для примера, память DDR3-1600 имеет тайминг 13.75 наносекунд при чтении, а DDR4-2133 — 14.06.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются «планки» DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время – это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?

Технические характеристики

Прежде чем говорить, что лучше DDR3 или DDR4 и проводить их сравнения следует подробно ознакомиться с их техническими характеристиками и возможностями, а также их преимуществами и недостатками. Данный подход позволит правильно и точно определить будущее модулей памяти и выявить перспективный образец.

DDR3

Основными характеристиками для оперативной памяти не зависимо от ее поколения являются следующие характеристики:

Частота. ОЗУ третьей модели выпускается с частотой 1066 МГц, 1333 МГц и 1600 МГц, а последняя модификация имеет 1866 МГц. При помощи разгона памяти ее частоту можно повысить до 2400 – 2666 МГц. Максимальное значение этого параметра при разгоне, которое было получено в лабораторных условиях, составляет 4620 МГц.
Напряжение. Энергопотребление варьируется в диапазоне 1,5 – 1,8 В. Последняя версия DDR3L способна работать при низком напряжении 1,25 – 1,35 В. Индекс L означает Low Power (с англ. – малая мощность).
Время простоя. Для определения производительности планки памяти одним из важных параметров являются тайминги или латентность (CL), т. е. задержка при передаче информации. DDR3 1600 МГц имеет задержку равную 9 тактам, для получения временного значения необходимо 1 сек. разделить на 1600 млн. тактов и получаем 0,625 мс на 1 такт. Результат умножаем на 9 тактов и получаем 5,625 нс. Далее умножаем на 2 (количество потоков передачи данных) и время задержки составляет 11,25 нс.

Совет. Значение латентности можно определить из маркировки оперативной памяти после букв CL. Соответственно, чем ее значение меньше, тем выше производительность устройства.

DDR4

ОЗУ четвертого поколения обладает более высокими параметрами технических характеристик, за счет которых оно обходит своего предшественника.

Частота. Минимальное значение тактовой частоты составляет 2133 МГц, при оптимизации необходимых процессов ее можно повысить от 2800 до 3000 МГц. При выполнении разгона оборудования параметр легко увеличит до 4800 МГц.
Энергопотребление. Оперативная память DDR4 разрабатывалась для работы с низковольтным напряжением. Для частотного диапазона 2133 – 2400 МГц значение напряжения составляет 1,2 В, что в несколько раз снижает объем выделяемой тепловой энергии.
Тайминг. Латентность ОЗУ четвертой модификации для 2133 МГц составляет 15 тактов, в переводе на время задержка равна 14 нс.

Особенности использования

Когда модуль, рабочее напряжение у которого 1.5 В, получает всего 1.35 В, он начинает сбоить и провоцирует периодические зависания ОС и вылеты в «синий экран».

p, blockquote 8,0,0,0,0 –>

Многие системные платы позволяют реализовать подобный оверклокинг, однако это не панацея от некорректной работы: лучше подобрать подходящий по типу модуль памяти и не делать себе нервы.

p, blockquote 10,1,0,0,0 –>

Начиная с поколения Skylake, процессоры Intel рассчитаны только на эксплуатацию в связке с низковольтовой памятью. Как уверяют сами разработчики, дальнейшее развитие модельного ряда будет идти именно в этом направлении, а возможно, что появятся модификации, потребляющие еще меньшее напряжение.

p, blockquote 11,0,0,0,0 –>

Использование 1.5 –вольтовой ОЗУ может же попросту повредить процессор. То есть, можно заставить работать с высоковольтовой памятью процессор, рассчитанный на использование 1.35 вольта, но это чревато нестабильностью работы компьютера.

Как задействовать XMP профиль оперативной памяти

Привет друзья! Чтобы вы всё поняли, в двух словах объясню, что такое тайминги и что такое XMP — eXtreme Memory Profiles («экстремальные профили памяти»).Тайминги (временная задержка сигнала) или время, которое оперативная память тратит на обработку информации, чем они меньше, тем оперативка работает быстрее.XMP профиль — это набор данных о расширенных и нестандартных возможностях определённого модуля оперативной памяти (частотах, таймингах, напряжениях), находится эта информация на самой планке оперативки в специальной микросхеме! На начальном этапе загрузки компьютера BIOS материнской платы считывает эту информацию и оперативная память работает на оптимизированных частотах и таймингах находящихся в профиле XMP, конечно для этого нужна поддержка технологии XMP материнской платой.Практически все новые материнские платы способны задействовать профиль XMP с помощью настроек БИОС (по умолчанию он не задействован). Если профильXMP не задействован, значит материнская плата выставляет стандартные частоту, тайминги и напряжение в соответствии со своими заводскими характеристиками.Давайте вместе с вами задействуем XMP профиль памяти в БИОС материнской платы ASUSУ меня на рабочем компьютере такой же процессор и такая же оперативная память как и у нашего читателя.

Входим в БИОС и идём на вкладку Ai Tweaker

Здесь нам нужна опция Ai Overclock Tuner, она у нас находится в Авто значит профиль XMP не задействован, щёлкаем на Авто левой мышью и в появившемся меню выбираемX.M.P.

Как видим профиль X.M.P задействовать нам удалось и оперативная память теперь будет работать с более высокими таймингами.

Жмём F10, этим мы сохраняем изменённые настройки БИОС, и перезагружаемся. Запускаем утилиту CPU-Z и видим, что у модуля оперативной памяти изменились тайминги, они стали меньше и память будет после этого работать чуть быстрее.

Следующая наша статья будет о таймингах.

Статья на эту тему: Как не разбирая ноутбук узнать все характеристики установленных в него планок оперативной памяти

https://computerinfo.ru/xmp-profil-operativnoj-pamyati/
https://te4h.ru/kak-vklyuchit-xmp-profil
https://remontcompa.ru/zhestkiy-disk/691-kak-zadeystvovat-xmp-profil-operativnoy-pamyati.html

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы. Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия. Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа ( типа CPU-Z ) и зайти во вкладку SPD

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

SDRAM, DDR, DDR2, DDR3

На смену FPM и EDO пришла оперативная память типа SDRAM. К несомненным плюсам модулей памяти этого типа (и всех последующих) можно отнести поддержку автоматического конфигурирования. Параметры модуля записываются в специальную микросхему SPD, а BIOS, ориентируясь на эту информацию, автоматически устанавливает необходимые задержки. DDR SDRAM, DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM — самые распространенные на данный момент типы памяти. Фактически, это SDRAM с удвоенной скоростью доступа и, как следствие, практически все параметры работы памяти DDR SDRAM, DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM аналогичны обычной SDRAM.

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Суть стандарта DDR3

В отличие от устаревшей «двойки» в третьей версии емкость микросхем увеличена. Теперь она составляет 8 бит. Это не могло не сказаться положительно на производительности. Также вырос минимальный объем модулей — теперь он составляет 1 гигабайт. Меньше просто невозможно. Разница между DDR3 и DDR3L, которую мы рассмотрим чуть ниже, несущественна. Тут больше разницы между «двойкой» и «тройкой». И она заметна невооруженным глазом. Кстати, и энергопотребление снизилось, что сделало данный тип памяти более подходящим для мобильных компьютеров (ноутбуков).

«Тройка» — стандарт далеко не новый. Поэтому особо радоваться здесь нечему. DDR4 гораздо производительнее. Но, тем не менее, именно этот тип памяти наиболее распространен в наше время. DDR3 и DDR3L, разница в которых не так уж существенна, — однотипные модули. Но разобраться в том, что их отличает, стоит хотя бы для самообразования. Что ж, теперь рассмотрим характеристики «тройки» с литерой L.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

Уменьшить их емкость.
Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

DDR — 2, 5 В.
DDR2 — 1, 8 В.
DDR3 — 1, 5 В.
DDR4 — 1, 2 В.

Что такое тайминги

Тайминги или латентность – это характеристика, которая описывает быстродействие оперативной памяти. Простому пользователю сложно понять принцип действия ОЗУ. Если сказать просто – выбирать нужно планки с как можно меньшими числами , обозначающими тайминги. Из двух модулей с одинаковой частотой быстрей будет работать тот, у которого тайминги меньшие. Для DDR3 оптимальный тайминг составляет 10-10-10-30, для DDR4 – 15-15-15-36. Поскольку тайминги неразрывно связаны с частотой, при разгоне этого параметра придется поднимать и тайминги

При выборе типа оперативной памяти лучше всего обращать внимание на оптимальную совокупность параметров, при этом не стоит гнаться за максимальными значениями

Обычные звонки дешевле, но менее надежны. Высокопроизводительные критически важные компьютеры никогда не должны использовать общие альтернативы. Он является профессором университета и преподает курсы повышения квалификации в области разработки систем. Также убирает сомнения, оставленные читателями в разделе комментариев.

Они предлагают вам новые ресурсы для игр или обработки изображений, обработки видео или музыки. Это то, что система использует для хранения текущих задач. Вот почему, когда компьютер «растения», теряются только несохраненные изменения. Операционные системы, как правило, растут с развитием оборудования. Карты памяти имеют переменную пропускную способность и скорость передачи. При их приобретении сначала необходимо проверить их совместимость с материнской платой, а затем с системой (системами), которую вы планируете развернуть на машине.

Можно ли ставить оперативную память с разной частотой, объемом, таймингами, напряжением и производителем

22.03.2019 windows | для начинающих

Когда речь заходит об увеличении объема оперативной памяти на компьютере или ноутбуке, один из самых частых вопросов — а можно ли ставить разную память. Что, если есть разные планки RAM, где отличаются производитель, частота, тайминги, объем или напряжение? Обо всем этом и пойдет речь в инструкции.

Заранее оговорюсь, что вся информация об установке разной оперативной памяти на одном устройстве приводится для модулей RAM современной памяти DDR4/DDR4L и DDR3/DDR3L, на более старом оборудовании различные нюансы с работоспособностью случались чаще. См. также: Как увеличить объем оперативной памяти на ноутбуке.

Разный объем планок оперативной памяти

Первый и самый частый вопрос: можно ли устанавливать оперативную память разного объема и будет ли она работать. Краткий ответ — да, всё будет в порядке и работать она будет.

Самый важный нюанс при установке: если на компьютере или ноутбуке будет использоваться память разного объема, она не будет работать в двухканальном (Dual-channel) режиме.

То есть будет работать медленнее, чем в случае использования двух одинаковых по объему планок.

Для современных топовых систем с поддержкой четырехканального режима работы памяти это тоже относится.

Обычно, это не заметно, но есть сценарии, когда разница проявляется и бывает ощутимой: например, при использовании интегрированного видео: преимущество FPS при работе памяти в двухканальном режиме может быть в районе 10-25%.

Также на всякий случай отмечу в этом разделе еще один момент, с которым пользователи часто обращаются — о максимальном размере планки памяти.

Помните: когда для вашего ноутбука с двумя слотами обозначен максимальный объем 16 Гб (числа просто для примера), а для ПК с 4 слотами — 32 Гб, это почти всегда означает, что вы можете установить этот максимум только заполнив все слоты равными по объему модулями RAM. То есть в первом случае нельзя использовать просто одну планку на 16, а во втором — две по 16 (для других максимумов логика та же самая). Однако, в случае с ПК бывают исключения и лучше ознакомиться с документацией к материнской плате.

Можно ли ставить память с разной частотой и таймингами

Ответ на этот вопрос для памяти DDR4 и DDR3 — практически всегда да. Память будет работать. Но будет делать это на частотах и таймингах менее производительной планки памяти. Проблем с двухканальным режимом обычно также не возникает (при условии одинакового объема памяти каждого модуля).

Если по какой-то причине частота и тайминги менее производительного модуля RAM не поддерживаются более быстрой планкой, то БИОС выставит те параметры (ещё ниже), которые будут безопасны и поддерживаются обоими модулями: таковая найдется, так как все они в любом случае могут работать с базовыми параметрами для своего типа памяти.

Установка RAM с разным напряжением — 1.35 В и 1.5 В

В продаже есть модули памяти DDR4 и DDR3 с напряжением 1.5 вольт и модули DDR4L и DDR3L с напряжение 1.35 вольт. Можно ли их совмещать и будут ли они работать. В данном вопросе ответ уже менее однозначен:

Оперативная память 1.35 В может работать и с напряжением 1.5 вольт. Таким образом, если изначально на вашем ноутбуке или компьютере была установлена планка с более высоким напряжением, а вы добавили с более низким — всё будет в порядке.
Память 1.5 В не будет работать на материнской плате, где возможно использование только 1.35 В. Обычно речь идет о ноутбуках. При этом либо вы увидите сообщение о том, что память не поддерживается при включении ноутбука, либо не увидите ничего (черный экран).

Последний пункт имеет свои нюансы: дело в том, что несмотря на то, что на некоторых ноутбуках при продаже устанавливается память с низким напряжением, они также поддерживают и более высокое напряжение. Однако, если вы не нашли четкой официальной информации об этом на официальном сайте или в документации, лучше не рисковать.

Будет ли работать оперативная память разных производителей на одном компьютере или ноутбуке

Да, будет. При условии, что все остальные моменты и различия были учтены при покупке модулей памяти, отличия производителей не приводят к проблемам с работоспособностью, хотя такое и случалось на старых системах около 20 лет назад.

И, в завершение, чтобы не сделать ошибок при приобретении дополнительной оперативной памяти, настоятельно рекомендую найти официальную документацию к вашей материнской плате (если речь идёт о настольном компьютере) или вашему ноутбуку, обычно там присутствует раздел, относящийся к апгрейду RAM. Если же не удается найти нужную информацию, не стесняйтесь обратиться в службу поддержки производителя, обычно они отвечают.

А вдруг и это будет интересно:

Выводы

В случае с DDR3 памятью и материнской платой поддерживающей низковольтную память, теоретически, можно заставить работать любую память в любой материнской плате, если немного поэкспериментировать с напряжением, частотами и таймингами. Но, лучше использовать именно ту память которая рекомендована для материнской платы и процессора. Так можно сэкономить немало времени и нервов и заниматься за компьютером тем, чем планировалось. А сборку и тестирование нестандартных конфигураций лучше оставить энтузиастам-оверклокерам.Модули DDR3l можно использовать в системных платах рассчитанных на любые типы DDR3.