Ддр3 против ддр4 — разница и сравнение — 2021 — блог

Сравнительная таблица

Таблица сравнения DDR2 и DDR3
	DDR2	DDR3
	текущий рейтинг 3.67 / 5 (291 оценка)	текущий рейтинг 3.99 / 5 (196 оценок)
напряжение	1,8 Вольт (стандарт); 1,9 В (высокая производительность)	1,5 Вольта (стандарт); 1,65 Вольт (высокая производительность); 1,35 В (низкое напряжение)
Скорость	400 МГц, 533 МГц, 667 МГц, 800 МГц, 1066 МТ / с	800 Mhz, 1066 Mhz, 1333 Mhz, 1600 Mhz и 1866 Mhz
Модули	240-контактный небуферизованный зарегистрированный модуль DIMM; 200-контактный SODIMM; 214-контактный MicroDIMM	240-контактный модуль DIMM (того же размера, что и DDR2, но электрически несовместим с модулями DIMM DDR2 и имеет другое расположение ключевой выемки). Модули DDR3 SO-DIMM имеют 204 контакта.
Буфер предварительной выборки	4n	8n
Автобусные часы	200-533 МГц	400-1066 МГц
Внутренняя скорость	100-266 МГц	100-266 МГц
Скорость передачи	0,40-1,06 ГТ / с (гигатрансферы в секунду)	0,80-2,13 ГТ / с (гигатрансферы в секунду)
Пропускная способность канала	3,20-8,50 Гбит / с	6,40-17,0 Гбит / с

Большие задержки

Увеличение скорости памяти всегда влечет за собой увеличение задержек, выраженные в циклах времени. Аналогичная ситуация будет и в этот раз. Стандарт JEDEC предусматривает, что стандартной задержкой CAS для памяти DDR4-2400 будет 15 циклов (для DDR3-1600 это было 10 циклов).

Следует, однако, иметь в виду, что задержки не изменяются. Чтобы убедиться в этом, достаточно сделать простой расчет. Скорость памяти на уровне 1600 M/s означает, что один цикл длится 1/800 000 0000 сек. В этом случае задержка, выраженная в 10 циклах, составляет 12,5 наносекунд. После выполнения соответствующих расчетов для памяти 2400 M/s и 15 циклов мы получим идентичный результат.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Преимущества DDR3 перед DDR2

Более высокая пропускная способность до 1600 МГц: Основное преимущество DDR3 заключается в более высокой пропускной способности, обеспечиваемой 8-битным буфером предварительной выборки DDR3, в отличие от 4-битного буфера предварительной выборки DDR2 или 2-битного буфера DDR. Модули DDR3 могут передавать данные с эффективной тактовой частотой 800–1600 МГц, используя как нарастающие, так и спадающие фронты тактовой частоты ввода / вывода 400–800 МГц. Для сравнения, текущий диапазон эффективной скорости передачи данных DDR2 составляет 400–800 МГц при использовании тактовой частоты ввода / вывода 200–400 МГц, а диапазон DDR составляет 200–400 МГц при тактовой частоте ввода / вывода 100–200 МГц.
Более высокая производительность при низком энергопотреблении (более длительное время автономной работы в ноутбуках): Память DDR3 обещает снижение энергопотребления на 30% по сравнению с текущими коммерческими модулями DDR2 из-за напряжения питания DDR3 1,5 В по сравнению с 1,8 В DDR2 или 2,5 В.
Расширенные функции низкого энергопотребления
Улучшенный тепловой дизайн (кулер)

Технические характеристики

Прежде чем говорить, что лучше DDR3 или DDR4 и проводить их сравнения следует подробно ознакомиться с их техническими характеристиками и возможностями, а также их преимуществами и недостатками. Данный подход позволит правильно и точно определить будущее модулей памяти и выявить перспективный образец.

DDR3

Основными характеристиками для оперативной памяти не зависимо от ее поколения являются следующие характеристики:

Частота. ОЗУ третьей модели выпускается с частотой 1066 МГц, 1333 МГц и 1600 МГц, а последняя модификация имеет 1866 МГц. При помощи разгона памяти ее частоту можно повысить до 2400 – 2666 МГц. Максимальное значение этого параметра при разгоне, которое было получено в лабораторных условиях, составляет 4620 МГц.
Напряжение. Энергопотребление варьируется в диапазоне 1,5 – 1,8 В. Последняя версия DDR3L способна работать при низком напряжении 1,25 – 1,35 В. Индекс L означает Low Power (с англ. – малая мощность).
Время простоя. Для определения производительности планки памяти одним из важных параметров являются тайминги или латентность (CL), т. е. задержка при передаче информации. DDR3 1600 МГц имеет задержку равную 9 тактам, для получения временного значения необходимо 1 сек. разделить на 1600 млн. тактов и получаем 0,625 мс на 1 такт. Результат умножаем на 9 тактов и получаем 5,625 нс. Далее умножаем на 2 (количество потоков передачи данных) и время задержки составляет 11,25 нс.

Совет. Значение латентности можно определить из маркировки оперативной памяти после букв CL. Соответственно, чем ее значение меньше, тем выше производительность устройства.

DDR4

ОЗУ четвертого поколения обладает более высокими параметрами технических характеристик, за счет которых оно обходит своего предшественника.

Частота. Минимальное значение тактовой частоты составляет 2133 МГц, при оптимизации необходимых процессов ее можно повысить от 2800 до 3000 МГц. При выполнении разгона оборудования параметр легко увеличит до 4800 МГц.
Энергопотребление. Оперативная память DDR4 разрабатывалась для работы с низковольтным напряжением. Для частотного диапазона 2133 – 2400 МГц значение напряжения составляет 1,2 В, что в несколько раз снижает объем выделяемой тепловой энергии.
Тайминг. Латентность ОЗУ четвертой модификации для 2133 МГц составляет 15 тактов, в переводе на время задержка равна 14 нс.
Экономия энергии DDR4 составляет 30% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Пропускная способность

Пропускная способность вашего компьютера рассчитывается с использованием нескольких параметров. Однако, в самом простом смысле, чем выше частота ОЗУ (в МГц), тем она функциональнее. Однако помните, что ОЗУ DDR4 почти всегда будет быстрее, чем любое предыдущее поколение.

Также имейте в виду, что размер вашей оперативной памяти также важен. Чем больше ОЗУ, тем лучше, а там быстрее работает. Например, если у вас 32 ГБ оперативной памяти 2400 МГц, в большинстве случаев она будет работать лучше, чем 16 ГБ 3600 МГц.

Когда на рынке появились первые карты памяти DDR4, они были слишком дорогими, и многим пользователям пришлось придерживаться DDR3. Скорее всего, та же участь ждет DDR5.

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Part Number: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR — Kingston ValueRAM

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

blank – 1.2V
– TBD

E: Unbuffered DIMM (ECC) w/Thermal Sensor
L: Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
R: Registered DIMM with Address/Command Parity Function w/Thermal Sensor
S: SO-DIMM, Unbuffered (Non-Ecc)

15 – CAS Latency

S – Single Rank
D – Dual Rank
Q – Quad Rank
O – Octal Rank

4 – x4 DRAM chip
8 – x8 DRAM chip
6 – x16 DRAM chip

blank: any height
H – 31.25mm
L – 18.75mm (VLP)

blank – Single Module
K2 – Kit of Two Modules
K3 – Kit of Three Modules

4 — Capacity

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B – Revision

I – Intel Certified

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Part Number: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR — Kingston ValueRAM

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

blank — 1.5V
L — 1.35V
U — 1.25V

E – Unbuffered DIMM (ECC)
N – Unbuffered DIMM (non-ECC)
R – Registered DIMM
L – Load-Reduced DIMM
S – SO-DIMM

11 – CAS Latency

S – Single Rank
D – Dual Rank
Q – Quad Rank

4 – x4 DRAM chip
8 – x8 DRAM chip

L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 – Kit of Two Modules
K3 – Kit of Three Modules
K4 – Kit of Four Modules

4 — 4GB
8 — 8GB
12 — 12GB
16 — 16GB
24 — 24GB
32 — 32GB
48 — 48GB
64 — 64GB

H – Hynix
E – Elpida
I – Intel Validated

B – Die Revision

Проверьте тип RAM с помощью Командная строка

Командная строка более способна предоставить вам информацию о типе оперативной памяти, чем диспетчер задач. Через командную строку вы можете открыть командную строку инструментария управления Windows (WMIC), которая упрощает проверку информации об оборудовании вашего компьютера.

Но сначала нажмите Начинать, введите cmd и щелкните Запустить от имени администратора.

Как только вы войдете, вы можете ввести любую из этих двух командных строк, чтобы проверить свой тип оперативной памяти.

Командная строка, вариант №1

Введите этот код и нажмите Enter.

У вас должно получиться числовое значение. Вот что означают эти цифры:

Численная величина	Тип DDR
20	DDR
21 год	DDR2
24	DDR3
26	DDR4
Неизвестный

Если вы получили «0», не расстраивайтесь. У нас еще есть способ подтвердить, какой у вас тип оперативной памяти.

Командная строка, вариант №2

Введите команду ниже и после этого нажмите клавишу ввода.

Вы получите другое числовое значение. Вот что означают номера типов памяти SMBIOS:

Численная величина	Тип DDR
20	DDR
21 год	DDR2
22	DDR2 FB-DIMM
24	DDR3
26	DDR4

Точно так же есть другие модули WMIC, которые вы можете проверить, например, емкость ОЗУ, форм-фактор, пропускную способность и т. Д. Если вы хотите обновить тип ОЗУ, вы можете узнать некоторые дополнительные данные о своей ОЗУ. Вот список некоторых важных модулей, которые вы можете ввести после чтобы найти их данные:

этикетка банка (показаны слоты, в которые установлены микросхемы ОЗУ)
производитель (показывает производителя микросхемы RAM)
скорость (в МГц)
тип памяти (Тип RAM)
фактор формы
SMBIOSMemoryType

В качестве альтернативы, если вы хотите получить все модули WMIC, просто введите wmic memorychip получить и нажмите Enter. Вы получите все модули, доступные в рамках WMIC Memorychip.

DDR4 против DDR3 DIMM

Модули DDR3 используют 240 контактов, а модули DIMM DDR4 используют 288 контактов. DIMM DDR3 и DDR4 имеют длину 5¼ дюймов (133, 35 мм), но контакты в DDR4 расположены ближе (0, 85 мм), чем DDR4 (1 мм).

Они также различаются по высоте и толщине — увеличенная высота модулей DDR4 (31, 25 мм вместо 30, 35 мм DDR3) упрощает маршрутизацию сигналов, а увеличенная толщина (1, 2 мм по сравнению с 1 мм DDR3) вмещает больше сигнальных слоев.

Положение выемки на модулях памяти DDR4 также отличается от модулей DDR3. Это предотвращает случайную вставку неправильного типа памяти, потому что они не имеют обратной совместимости.

Объем памяти

Здесь работает простое правило — чем больше гигабайт оперативной памяти, тем лучше. Подробнее разберем, сколько памяти нужно для конкретных ситуаций.

4 гигабайта

Необходимый минимум в 2021 году. Одна только операционная система Windows 10 потребляет два или три гигабайта. Оставшейся памяти хватит только на браузер с несколькими вкладками. Для игровых ПК такой объем памяти не подойдет — на 4 гигабайтах современные проекты запускаются с частотой кадров до 10 кадров в секунду, что очень мало даже для нетребовательных игроков.

Если вы собираете ПК сейчас, лучше сразу приобретать от 8 гигабайт оперативной памяти — производительность и удобство пользования будет сильно выше при довольно небольших затратах.

Тем не менее, модули по 4 гигабайта могут пригодится в паре для двуканального режима. Доступен выбор из таких моделей, как:

—Kingston ValueRAM 4GB DIMM DDR4;

—Kingston для Acer/Fujitsu/HP/Compaq/Lenovo 4GB DIMM DDR4;

—Crucial by Micron 4GB DIMM DDR4.

8 гигабайт

Комфортный минимум: такого объема памяти хватает для работы с множеством вкладок в браузере, офисного пакета и большинства современных игр. Тем не менее, для игрового ПК больше подходит 16 гигабайт оперативной памяти. Можно выбрать одну из следующих моделей:

—Kingston ValueRAM 8GB DIMM DDR4;

—Kingston HyperX Predator 8GB DIMM DDR4;

—Kingston для Acer/Dell/Fujitsu/HP/Compaq/Lenovo 8GB DIMM DDR4;

—Crucial Ballistix Sport LT White 8GB DIMM DDR4.

Также вы можете приобрести комплекты из двух или четырех модулей по 8 гигабайт.

16 гигабайт

Оптимальный вариант для игрового ПК. Многие ААА-проекты указывают 16 гигабайт в качестве рекомендуемых системных требований. Такой объем оперативной памяти позволяет работать с десятками вкладок в браузере и профессиональными приложениями для работы с видео, музыкой и графикой. Тем не менее, 16 гигабайт — не предел: уже есть программы с рекомендованными 32 гигабайтами.

Среди модулей памяти объемом 16 Гб можно выбрать:

—Kingston ValueRAM 16GB DIMM DDR4;

—Kingston HyperX Predator 16GB DIMM DDR4;

—Kingston для Acer/Dell/Fujitsu/HP/Compaq/Lenovo 16GB DIMM DDR4.

—Crucial by Micron 16GB DIMM DDR4.

Также вы можете приобрести комплекты из двух или четырех модулей по 16 гигабайт.

32 гигабайт

Не только для узкоспециализированных профессиональных задач — например, для комфортной работы со сложными проектами в After Effects или чтобы не задумываться об апгрейде в ближайшие три года. Такой объем оперативной памяти никогда не указывается как минимальный: почти не существует игр и приложений для домашнего и офисного использования, для которых 32 гигабайта необходимы.

Тем не менее, при сборке дорогого игрового ПК можно задуматься о 32 гигабайтах — например, Microsoft Flight Simulator указывает 32 гигабайта как рекомендуемый объем оперативной памяти.

Среди модулей такого объема можно выбрать:

— Kingston HyperX FURY Black HX432C16FB3/32 DIMM DDR4;

— Samsung M393A4K40DB3-CWEBY DIMM DDR4;

— Kingston ValueRAM KVR32N22D8/32 DIMM DDR4.

Обозначение и маркировка на планке ОЗУ

Вообще, на планке памяти, обычно, всегда присутствует наклейка со всей необходимой информацией: производитель, объем памяти, скорость работы, типа памяти, тайминги.

Рассмотрю на примере одной из планок (дабы они все аналогичные, и разобрав одну — по остальным вы разберетесь и без меня ).

2GB 1Rx8 PC3-12800S-11-11-8B2 — что означают эти цифры:

2GB — количество памяти (чем больше — тем лучше );
1Rx8 — односторонний ранк памяти (например, 2Rx8 – двухсторонний)

Часто эта информация вообще не указывается, и многие на нее не обращают внимание;
PC3-12800 — пропускная способность планки (грубо говоря, скорость работы). Кстати, на этой планке памяти не указан ее тип (DDR3, например), но PC3-12800 — говорит о том, что это тип DDR3 (если бы был PC2… — то это был бы тип DDR2);
11-11-B2 — тайминги (тема большая, и в этой статье не рассматриваю, скажу лишь, что они влияют на производительность вашей памяти).

Маркировка на планке памяти

Кстати, при помощи таблицы ниже, вы можете перевести обозначение PC3-12800 — в стандартное название — DDR3-1600 (что кстати, также порой указывается на планках ОЗУ).

Таблица со спецификацией стандартов (DDR3)

Стандартное названиеЧастота шины, МГцЭффективная (удвоенная) скорость, млн. передач/сНазвание модуляПиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме, МБ/с

DDR3‑800	400	800	PC3‑6400	6400
DDR3‑1066	533	1066	PC3‑8500	8533
DDR3‑1333	667	1333	PC3‑10600	10667
DDR3‑1600	800	1600	PC3‑12800	12800
DDR3‑1866	933	1866	PC3‑14900	14933
DDR3‑2133	1066	2133	PC3‑17000	17066
DDR3‑2400	1200	2400	PC3‑19200	19200

DDR4 — спецификация стандартов

DDR2, DDR3, DDR4 как отличить?

Довольно часто приходится слышать вопросы, как различать память разных типов, например, DDR2, DDR3, DDR4 (особенно начинающие пользователи бояться при покупке доп. памяти к себе на ПК).

Вообще, самый простой вариант — используйте и читайте маркировку на планке с памятью. Если на самой планке нет маркировки, мой совет — вообще откажитесь от покупки такой памяти!

Также, прежде чем покупать память, проверьте какая плашка вам подойдет (об этом выше), посмотрите, какая у вас уже стоит на ПК (и подберите аналог).

Кроме этого, обратите внимание, что планки разного типа (те же DDR2 и DDR3) отличаются еще и геометрией! На фото ниже представлена линейка и планки разных типов

Ddr1 DDR2, DDR3 — как отличить планки (размер в см.)

Кстати, планка памяти для ноутбука короче, чем для стационарного компьютера. Обозначается она, обычно, SO-DIMM (для ПК просто DIMM).

Обратите внимание, что планку от ноутбука через спец. переходник можно поставить в компьютер, планку же от ПК поставить в ноутбук не удастся — она просто не влезет в компактный корпус устройства!

Планки памяти для ПК и ноутбука

Лучший комплект 16 ГБ для чипсетов H370 и B360: Corsair Vengeance LPX DDR4-2666 (2 x 8 ГБ)

Модель: CMK16GX4M2A2666C16.
Объём: 16 ГБ (2 x 8 ГБ).
Скорость передачи данных: DDR4-2666.
Тайминги: C16-18-18-36.
Напряжение: 1,20 В.
Гарантия: пожизненная.

Плюсы

Большой прирост производительности за счёт двухранговых модулей DIMM.

Минусы

Нет второго XMP для материнских плат только с DDR4-2400.
Лучшая настройка без XMP только DDR4-2133.

Чипсеты Intel H370 и B360 заставляют процессоры Core i5 и выше блокировать настройки памяти более DDR4-2666, что уже ниже средних значений в современных компьютерах. Опытные пользователи сейчас чаще выбирают DDR4-3200, поэтому и продавцы предлагают главным образом её.

Чтобы обойти проблемы производительности в связи с ограничением у Intel до DDR4-2666, Corsair использует старые чипы с низкой плотностью для заполнения слотов DIMM 8 ГБ двумя рангами вместо одного, как у конкурентов. Достигается это без значительного увеличения стоимости. Эти модули можно порекомендовать всем, у кого есть плата с поддержкой XMP максимум с DDR4-2666. К ним относятся большинство продаваемых в рознице материнских плат на чипсетах H370 и B360.

main

cle class=»classic post-1800 post type-post status-publish format-standard has-post-thumbnail hentry category-zhelezo»>

DDR4 является последним поколением памяти на данный момент. При этом подавляющее большинство компьютеров работают на DDR3. С аппаратной точки зрения, понятно, что они отличаются, и должны отличатся, а иначе какой смысл делать новое поколение. Мы рассмотрим с точки зрения функциональных изменений.

Если посмотреть на рыночный сегмент DDR4, то он предназначен только для чипсета Intel X99. Данная платформа предназначена, только для очень производительный рабочих станций, и стоимость DDR4 (на момент написания статьи) почти в два раза больше чем DDR3.

Напряжение и энергопотребление

Память DDR3 работает на 1,5 В (1.35 В в энергосберегающем режиме), а память ddr4 работает на 1.2 В. Это означает, что RAM стандарта ddr4 будет использовать намного меньше энергии по сравнению с памятью DDR3. Только при использовании одной или двух модулей, особой разницы не заметите, но когда речь идет о сервере (здесь рассматривали, что сервера отличаются большими объемами оперативной памяти, до 500 и выше Гб), или о сотни серверов под управлением того же оборудования, модернизация оперативной памяти до ddr4 сделает весомый вклад в энергосбережение.

Скорость и пропускная способность

Типичный DDR3 характеризуются частотой от 800 МГц до 2133 МГц. 800 МГц означает, что ОЗУ обрабатывает 800 миллионов операций в секунду. У DDR4 частота начинается с 1600 МГц и до 3200 МГц. Увеличение частоты предполагает увеличение пропускной способности оперативной памяти.

Это что касается самих цифр. Даст или нет прироста производительности повышенная частота зависит от многого, от материнской платы, процессора и характера выполняемых операций. Этот прирост точно не имеет линейного значения, т.е. увеличив в два раза частоту, вы не получите двукратного увеличения производительности. В целом при грамотном подходе улучшение есть.
При упоминании частоты нельзя не сказать о таймингах (задержках между подачей сигнала и непосредственно выдачей данных) оперативной памяти. Эти задержки измеряются в наносекундах, в характеристиках указываются в количествах тактов. Обозначается как CL. Известно, что при увеличении частоты возрастают тайминги.
Например, имеем типичные параметры, в соответствии со стандартом JEDEC с одной стороны — 1600 Мгц и тайминг 10 тактов (CL10). С другой стороны, память DDR4 — 2400 с задержкой 15 тактовых циклов (CL15). Может показаться, что все же задержка то больше. На самом деле, давайте посчитаем.
Память DDR3 — 1600 имеет реальную частоту шины 800 МГц. А все потому, что DDR (double-data-rate) – это удвоенная скорость передачи данных. То есть получается при реальной частоте шины 800 МГц – рабочая скорость в два раза выше 1600.

Вычисляем длину такта 1/800 000 000 = 1,25 нс (наносекунд)
Вычисляем длительность задержки 1,25 * 10 = 12,5 нс

Теперь тоже самое для 2400
1/1 200 000 000 = 0,83333 нс (наносекунд)
0,83333 * 15 = 12,499 нс

Получили такую же величину. В итоге хоть и в количествах тактовых циклов возрастает значение тайминга, реально в абсолютном выражении задержка DDR3 и 4 не меняются (только для этого случая)

Емкость и обработка ошибок

На одном модуле DDR4 может вместить минимум 2 Гб и теоретический максимум 512 гб. У третьего поколения — это 128 Гб. Получается при меньшем количестве слотов, можем организовать больший объем памяти, или при таком же количестве, намного больше . Выгода очевидна.
В дополнение к огромной емкости, памяти DDR4 способен гораздо лучше обнаруживать ошибки и способность к их коррекции. Обработка ошибок становится очень важным, при использовании большого объема памяти в система, которая контролирует операции в режиме реального времени, такие как спутники , транспортные систем и т.д.

Конструктивные отличия

Физическая конструкция DDR4 немного отличается по сравнению с памятью DDR3.
На миллиметр больше высота, расположение выемки на модуле после 284-ого контакта вместо 240 — ого. Очень интересной новинкой является разные по высоте контакты, по краям они меньше и увеличиваются смещаясь к центру. Благодаря этому нововведению установка памяти требует использования меньшего давления.

Вывод

На мой взгляд, если у вас уже есть оборудование с DDR3, не стоит специально менять материнскую плату и процессор, для того чтобы просто воткнуть последнее поколение ОЗУ. На данный момент, вы можете иметь такую же производительность и с DDR3. Через годик другой, когда задумаете купить новый девайс, DDR4 будет уже повсеместно распространен, и просто не будет вопроса стоять в выборе

Предыдущая записьКак собрать системный блок самостоятельно
Следующая записьБезопасность личных данных и веб-камеры

Prefetch

Возможно, вы уже слышали термин «предварительная нагрузка». Однако, когда дело доходит до ОЗУ, Prefetch относится к архитектуре предварительной выборки. RAM с буфером предварительной выборки 2n будет обращаться к памяти в два раза быстрее, чем SDRAM, которая имеет буфер предварительной выборки 1n (или диск данных).

В основном, когда SDRAM считывает данные, она считывает по одной единице данных за раз. Однако оперативная память DDR1 с буфером предварительной выборки размером 2n считывает одновременно две единицы данных. ОЗУ считывает два данных, которые находятся рядом друг с другом, потому что предполагается, что эти данные нужны ЦП. На практике дело обстоит именно так.

Чем выше буфер предварительной выборки ОЗУ, тем больше данных он прочитает за один проход. Чтение нескольких данных за один проход, даже если они оказываются данными, которые не нужны вашему компьютеру, намного эффективнее, чем чтение одних и тех же данных снова и снова.

Следовательно, ОЗУ DDR4 в восемь раз быстрее, чем SDRAM, потому что у нее есть буфер предварительной выборки 8n. С другой стороны, ОЗУ DDR5 может быть в шестнадцать раз быстрее, чем SDRAM. DDR3 работает в том же буфере предварительной выборки, что и RAM DDR4.